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什么是铁电存储器?

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发布时间:2019-09-27 12:18:50

   铁电存储器(又称 FeRAM、F-RAM 或 FRAM)是一种内存技术,具有与闪存相同的功能。FRAM 存储器芯片结合了瞬时非易失性数据存储和高性能 RAM,并以全接口速率写入,无写入延迟。

FRAM 具有几乎无限的耐久性(100 万亿次读取/写入周期),并可在短时间内保持激活状态,能耗非常低。

FRAM 存储器芯片有哪些应用?

FRAM 存储器芯片可嵌入互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术中,使微控制器自带 FRAM 存储器。这比集成闪存所需的步骤更少,因此是更为经济的选择。

FRAM 存储器提供了一种优化、易使用的解决方案,适用于各种高级电子计量系统,无论是衡量电力、水、气体还是热量。典型的 FRAM 存储器芯片可见于存储少量数据的电子设备。

FRAM 存储器芯片的类型

串行 FRAM 芯片通常与串行电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 一起使用。

并行 FRAM 芯片通常与并行静态随机存取存储器 (SRAM) 一起使用。

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